Uimhir Táirge Déantóra:
TK17E80W,S1X
Product Overview
Déantóir:
Toshiba Semiconductor and Storage
Uimhir Páirte:
TK17E80W,S1X-DG
Cur síos:
MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 800 V 17A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-220
Stoc:
100 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12890042
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
TK17E80W,S1X Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pacáistiú
Tube
Sraith
DTMOSIV
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
800 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
17A (Ta)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
4V @ 850µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
2050 pF @ 300 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
180W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
150°C
Cineál Gléasta
Through Hole
Pacáiste Gléas Soláthraí
TO-220
Pacáiste / Cás
TO-220-3
Bunuimhir Táirge
TK17E80
Ríomhleabhar & Doiciméid
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
50
Ainmneacha Eile
TK17E80WS1X
TK17E80W,S1X(S
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
TK25E60X,S1X
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
SSM3K310T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 20V 5A TSM
TPN4R303NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON
