Uimhir Táirge Déantóra:
TPN4R303NL,L1Q
Product Overview
Déantóir:
Toshiba Semiconductor and Storage
Uimhir Páirte:
TPN4R303NL,L1Q-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 30 V 40A (Tc) 700mW (Ta), 34W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Stoc:
4115 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12890048
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
TPN4R303NL,L1Q Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
U-MOSVIII-H
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
30 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
40A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
2.3V @ 200µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
14.8 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
1400 pF @ 15 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
700mW (Ta), 34W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Pacáiste / Cás
8-PowerVDFN
Bunuimhir Táirge
TPN4R303
Ríomhleabhar & Doiciméid
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
5,000
Ainmneacha Eile
264-TPN4R303NL,L1QDKR
TPN4R303NL,L1Q(M
TPN4R303NLL1QCT
264-TPN4R303NL,L1QTR
TPN4R303NLL1QTR
TPN4R303NLL1QDKR
TPN4R303NLL1QTR-DG
264-TPN4R303NL,L1QCT
TPN4R303NLL1QDKR-DG
TPN4R303NLL1QCT-DG
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
RoHS Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
2SK3670(T6CANO,F,M
MOSFET N-CH TO92MOD
TK6A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
2SJ438(AISIN,A,Q)
MOSFET P-CH TO220NIS