Uimhir Táirge Déantóra:
RN4988FE,LF(CT
Product Overview
Déantóir:
Toshiba Semiconductor and Storage
Uimhir Páirte:
RN4988FE,LF(CT-DG
Cur síos:
NPN + PNP BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4
Cur Síos Mionsonraithe:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Stoc:
4000 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12889808
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
RN4988FE,LF(CT Saintréithe Teicniúla
Catagóir
Bipolare (BJT), Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
Déantóir
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
-
Stádas Táirge
Active
Cineál Trasraitheora
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Reatha - Bailitheoir (Ic) (Uasmhéid)
100mA
Voltage - Bailitheoir Astaír Miondealú (Max)
50V
Friotóir - Bonn (R1)
22kOhms
Friotóir - Bonn Astaithe (R2)
47kOhms
DC Gnóthachan Reatha (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Reatha - Cutoff Bailitheoir (Max)
500nA
Minicíocht - Aistriú
250MHz, 200MHz
Cumhacht - Max
100mW
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste / Cás
SOT-563, SOT-666
Pacáiste Gléas Soláthraí
ES6
Bunuimhir Táirge
RN4988
Ríomhleabhar & Doiciméid
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
4,000
Ainmneacha Eile
RN4988FELF(CTDKR
RN4988FE,LF(CB
RN4988FELF(CTCT
RN4988FELF(CTTR
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.21.0075
Teastas DIGI
Related Products
RN1702,LF
NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER10KOH
RN4909,LF(CT
PNP + NPN BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4
RN1904FE,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
