RN4909,LF(CT
Uimhir Táirge Déantóra:

RN4909,LF(CT

Product Overview

Déantóir:

Toshiba Semiconductor and Storage

Uimhir Páirte:

RN4909,LF(CT-DG

Cur síos:

PNP + NPN BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4
Cur Síos Mionsonraithe:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 200mW Surface Mount US6

Stoc:

3000 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12889864
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT

RN4909,LF(CT Saintréithe Teicniúla

Catagóir
Bipolare (BJT), Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
Déantóir
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
-
Stádas Táirge
Active
Cineál Trasraitheora
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Reatha - Bailitheoir (Ic) (Uasmhéid)
100mA
Voltage - Bailitheoir Astaír Miondealú (Max)
50V
Friotóir - Bonn (R1)
47kOhms
Friotóir - Bonn Astaithe (R2)
22kOhms
DC Gnóthachan Reatha (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Reatha - Cutoff Bailitheoir (Max)
500nA
Minicíocht - Aistriú
200MHz, 250MHz
Cumhacht - Max
200mW
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste / Cás
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacáiste Gléas Soláthraí
US6
Bunuimhir Táirge
RN4909

Ríomhleabhar & Doiciméid

Bileoga eolais

Tuilleadh Eolais

Pacáiste Caighdeánach
3,000
Ainmneacha Eile
RN4909,LF(CB
RN4909LF(CTDKR
RN4909LF(CTCT
RN4909LF(CTTR

Rangú Comhshaoil & Eisíoc

Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.21.0075
Teastas DIGI
Related Products
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1904FE,LF(CT

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1973(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2963(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4908,LF(CT

PNP + NPN BRT Q1BSR10KOHM Q1BER4