Uimhir Táirge Déantóra:
IPD082N10N3GBTMA1
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
IPD082N10N3GBTMA1-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Stoc:
12801226
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
IPD082N10N3GBTMA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
-
Sraith
OptiMOS™
Stádas Táirge
Obsolete
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
100 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
80A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 73A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
3.5V @ 75µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
3980 pF @ 50 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
125W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-TO252-3
Pacáiste / Cás
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Bunuimhir Táirge
IPD082N
Ríomhleabhar & Doiciméid
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
2,500
Ainmneacha Eile
IPD082N10N3GBTMA1TR
SP000485986
IPD082N10N3 G
IPD082N10N3 G-DG
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Móidail Aiteacha
UIMHIR CODA
STD100N10F7
DEIRMHEACH
STMicroelectronics
CANTAR DISPONIBLE
5739
DiGi PART NUMBER
STD100N10F7-DG
PRAGHAS AONAD
1.10
TÍP AIONTUITHE
MFR Recommended
UIMHIR CODA
IPD082N10N3GATMA1
DEIRMHEACH
Infineon Technologies
CANTAR DISPONIBLE
31476
DiGi PART NUMBER
IPD082N10N3GATMA1-DG
PRAGHAS AONAD
0.82
TÍP AIONTUITHE
Parametric Equivalent
Teastas DIGI
Related Products
IPN70R750P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
IPP052NE7N3GHKSA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
IPA60R460CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 9.1A TO220-FP
