Uimhir Táirge Déantóra:
IPD082N10N3GATMA1
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
IPD082N10N3GATMA1-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Stoc:
31476 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12800584
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
IPD082N10N3GATMA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
OptiMOS™
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
100 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
80A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 73A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
3.5V @ 75µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
3980 pF @ 50 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
125W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-TO252-3
Pacáiste / Cás
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Bunuimhir Táirge
IPD082
Ríomhleabhar & Doiciméid
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
2,500
Ainmneacha Eile
IPD082N10N3GATMA1-DG
IPD082N10N3GATMA1TR
SP001127824
IPD082N10N3GATMA1CT
IPD082N10N3GATMA1DKR
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
IPD50R800CEBTMA1
MOSFET N CH 500V 5A TO252
IPA50R399CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 9A TO220-FP
IPC60R280E6X7SA1
MOSFET N-CH
