Uimhir Táirge Déantóra:
DMWS120H100SM4
Product Overview
Déantóir:
Diodes Incorporated
Uimhir Páirte:
DMWS120H100SM4-DG
Cur síos:
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 1200 V 37.2A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-4
Stoc:
2 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
13001177
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
DMWS120H100SM4 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Diodes Incorporated
Pacáistiú
Tube
Sraith
-
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
SiCFET (Silicon Carbide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
1200 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
37.2A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
3.5V @ 5mA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
52 nC @ 15 V
Vgs (Uasmhéid)
+19V, -8V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
1516 pF @ 1000 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
208W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Through Hole
Pacáiste Gléas Soláthraí
TO-247-4
Pacáiste / Cás
TO-247-4
Bunuimhir Táirge
DMWS120
Ríomhleabhar & Doiciméid
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
30
Ainmneacha Eile
31-DMWS120H100SM4
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
Not Applicable
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
G110N06T
MOSFET N-CH 60V 110A TO-220
IST015N06NM5AUMA1
OPTIMOS 5 POWER MOSFET 60 V
IRFP4668PBFXKMA1
TRENCH >=100V PG-TO247-3
