Uimhir Táirge Déantóra:
IRFP4668PBFXKMA1
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
IRFP4668PBFXKMA1-DG
Cur síos:
TRENCH >=100V PG-TO247-3
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 200 V 130A (Tc) 520W Through Hole TO-247AC
Stoc:
396 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
13001213
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
IRFP4668PBFXKMA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
Tube
Sraith
HEXFET®
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
200 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
130A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.7mOhm @ 81A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
5V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
241 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±30V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
10720 pF @ 50 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
520W
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta
Through Hole
Pacáiste Gléas Soláthraí
TO-247AC
Pacáiste / Cás
TO-247-3
Ríomhleabhar & Doiciméid
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
25
Ainmneacha Eile
SP005732696
448-IRFP4668PBFXKMA1
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
PJQ1906_R1_00001
MOSFET N-CH 30V 300MA DFN-3L
18N20
N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
IPP033N04NF2SAKMA1
TRENCH PG-TO220-3
