SIR800DP-T1-GE3
Uimhir Táirge Déantóra:

SIR800DP-T1-GE3

Product Overview

Déantóir:

Vishay Siliconix

Uimhir Páirte:

SIR800DP-T1-GE3-DG

Cur síos:

MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 20 V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Stoc:

6377 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12919858
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT

SIR800DP-T1-GE3 Saintréithe Teicniúla

Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Vishay
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
TrenchFET®
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
20 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
50A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
1.5V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
133 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±12V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
5125 pF @ 10 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
5.2W (Ta), 69W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PowerPAK® SO-8
Pacáiste / Cás
PowerPAK® SO-8
Bunuimhir Táirge
SIR800

Ríomhleabhar & Doiciméid

Sonraí Teicniúla
Faisnéis HTML
Bileoga eolais

Tuilleadh Eolais

Pacáiste Caighdeánach
3,000
Ainmneacha Eile
SIR800DP-T1-GE3TR
SIR800DP-T1-GE3CT
SIR800DPT1GE3
SIR800DP-T1-GE3DKR

Rangú Comhshaoil & Eisíoc

Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
vishay-siliconix

SIB800EDK-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 1.5A PPAK SC75-6

vishay-siliconix

SIA810DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

vishay-siliconix

SIHFR9120-GE3

MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK

vishay-siliconix

SIE802DF-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK