Uimhir Táirge Déantóra:
SIHG21N60EF-GE3
Product Overview
Déantóir:
Vishay Siliconix
Uimhir Páirte:
SIHG21N60EF-GE3-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
Stoc:
439 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12786860
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
SIHG21N60EF-GE3 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Vishay
Pacáistiú
Tube
Sraith
-
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
600 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
21A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
176mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
4V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±30V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
2030 pF @ 100 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
227W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Through Hole
Pacáiste Gléas Soláthraí
TO-247AC
Pacáiste / Cás
TO-247-3
Bunuimhir Táirge
SIHG21
Ríomhleabhar & Doiciméid
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
25
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
SQS840EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
SIR872ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
SISS32DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK