Uimhir Táirge Déantóra:
SIHD3N50D-BE3
Product Overview
Déantóir:
Vishay Siliconix
Uimhir Páirte:
SIHD3N50D-BE3-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 500 V 3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Stoc:
12971143
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
SIHD3N50D-BE3 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Vishay
Pacáistiú
Tube
Sraith
D
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
500 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
3A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
5V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±30V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
175 pF @ 100 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
69W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
TO-252AA
Pacáiste / Cás
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Bunuimhir Táirge
SIHD3
Ríomhleabhar & Doiciméid
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
75
Ainmneacha Eile
742-SIHD3N50D-BE3
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
PJQ4444P-AU_R2_000A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
AO3487
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3
PJW5N10A_R2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
