Uimhir Táirge Déantóra:
SIHD11N80AE-T4-GE3
Product Overview
Déantóir:
Vishay Siliconix
Uimhir Páirte:
SIHD11N80AE-T4-GE3-DG
Cur síos:
N-CHANNEL 800V
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount DPAK
Stoc:
12977856
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
SIHD11N80AE-T4-GE3 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Vishay
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
E
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
800 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
8A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
4V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±30V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
804 pF @ 100 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
78W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
DPAK
Pacáiste / Cás
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Ríomhleabhar & Doiciméid
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
3,000
Ainmneacha Eile
742-SIHD11N80AE-T4-GE3TR
742-SIHD11N80AE-T4-GE3CT
742-SIHD11N80AE-T4-GE3DKR
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
SQS482EN-T1_BE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
SIHP4N80E-BE3
N-CHANNEL 600V
SQJ868EP-T1_BE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
