Uimhir Táirge Déantóra:
SIHB24N65ET1-GE3
Product Overview
Déantóir:
Vishay Siliconix
Uimhir Páirte:
SIHB24N65ET1-GE3-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Stoc:
12787602
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
SIHB24N65ET1-GE3 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Vishay
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
E
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
650 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
24A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
4V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±30V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
2740 pF @ 100 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
250W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
TO-263 (D2PAK)
Pacáiste / Cás
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Bunuimhir Táirge
SIHB24
Ríomhleabhar & Doiciméid
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
800
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Móidail Aiteacha
UIMHIR CODA
IXFA22N65X2
DEIRMHEACH
IXYS
CANTAR DISPONIBLE
250
DiGi PART NUMBER
IXFA22N65X2-DG
PRAGHAS AONAD
2.56
TÍP AIONTUITHE
MFR Recommended
UIMHIR CODA
TK16G60W,RVQ
DEIRMHEACH
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTAR DISPONIBLE
994
DiGi PART NUMBER
TK16G60W,RVQ-DG
PRAGHAS AONAD
2.68
TÍP AIONTUITHE
MFR Recommended
Teastas DIGI
Related Products
SISA14DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
SIR472ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8
SIS415DNT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
