Uimhir Táirge Déantóra:
SI5857DU-T1-GE3
Product Overview
Déantóir:
Vishay Siliconix
Uimhir Páirte:
SI5857DU-T1-GE3-DG
Cur síos:
MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Cur Síos Mionsonraithe:
P-Channel 20 V 6A (Tc) 2.3W (Ta), 10.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single
Stoc:
12912441
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
SI5857DU-T1-GE3 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Vishay
Pacáistiú
-
Sraith
LITTLE FOOT®
Stádas Táirge
Obsolete
Cineál FET
P-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
20 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
6A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
58mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
1.5V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±12V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
480 pF @ 10 V
Gné FET
Schottky Diode (Isolated)
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
2.3W (Ta), 10.4W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PowerPAK® ChipFET™ Single
Pacáiste / Cás
PowerPAK® ChipFET™ Single
Bunuimhir Táirge
SI5857
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
3,000
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
SI1443EDH-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
IRL640STRRPBF
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
SI7374DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
