Uimhir Táirge Déantóra:
SI5441BDC-T1-GE3
Product Overview
Déantóir:
Vishay Siliconix
Uimhir Páirte:
SI5441BDC-T1-GE3-DG
Cur síos:
MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
Cur Síos Mionsonraithe:
P-Channel 20 V 4.4A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Stoc:
12918424
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
SI5441BDC-T1-GE3 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Vishay
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
TrenchFET®
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
P-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
20 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
4.4A (Ta)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
1.4V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs (Uasmhéid)
±12V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
1.3W (Ta)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
1206-8 ChipFET™
Pacáiste / Cás
8-SMD, Flat Lead
Bunuimhir Táirge
SI5441
Ríomhleabhar & Doiciméid
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
3,000
Ainmneacha Eile
SI5441BDC-T1-GE3CT
SI5441BDC-T1-GE3TR
SI5441BDC-T1-GE3-DG
SI5441BDC-T1-GE3DKR
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
SI3457BDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP
SQD100N03-3M4_GE3
MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
SI3469DV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
