Uimhir Táirge Déantóra:
SI4660DY-T1-GE3
Product Overview
Déantóir:
Vishay Siliconix
Uimhir Páirte:
SI4660DY-T1-GE3-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 25V 23.1A 8SO
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 25 V 23.1A (Tc) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Stoc:
12914540
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
SI4660DY-T1-GE3 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Vishay
Pacáistiú
-
Sraith
TrenchFET®
Stádas Táirge
Obsolete
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
25 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
23.1A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
2.2V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±16V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
2410 pF @ 15 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
8-SOIC
Pacáiste / Cás
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Bunuimhir Táirge
SI4660
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
2,500
Ainmneacha Eile
SI4660DY-T1-GE3CT
SI4660DY-T1-GE3TR
SI4660DYT1GE3
SI4660DY-T1-GE3DKR
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
IRL530STRRPBF
MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
SI7892BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
SI7107DN-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 9.8A PPAK1212-8
