Uimhir Táirge Déantóra:
SI3552DV-T1-GE3
Product Overview
Déantóir:
Vishay Siliconix
Uimhir Páirte:
SI3552DV-T1-GE3-DG
Cur síos:
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Cur Síos Mionsonraithe:
Mosfet Array 30V 2.5A 1.15W Surface Mount 6-TSOP
Stoc:
1817 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12915740
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
SI3552DV-T1-GE3 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Raonraí
Déantóir
Vishay
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
TrenchFET®
Stádas Táirge
Active
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Cumraíocht
N and P-Channel
Gné FET
Logic Level Gate
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
30V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
3.2nC @ 5V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
-
Cumhacht - Max
1.15W
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste / Cás
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacáiste Gléas Soláthraí
6-TSOP
Bunuimhir Táirge
SI3552
Ríomhleabhar & Doiciméid
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
3,000
Ainmneacha Eile
SI3552DV-T1-GE3TR
SI3552DV-T1-GE3CT
SI3552DV-T1-GE3DKR
SI3552DVT1GE3
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
SI7844DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
SI4914BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A/8A 8SOIC
SQJ202EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
