Uimhir Táirge Déantóra:
IRFBE30PBF
Product Overview
Déantóir:
Vishay Siliconix
Uimhir Páirte:
IRFBE30PBF-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Stoc:
2597 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12924620
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
IRFBE30PBF Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Vishay
Pacáistiú
Tube
Sraith
-
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
800 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
4.1A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
4V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
125W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Through Hole
Pacáiste Gléas Soláthraí
TO-220AB
Pacáiste / Cás
TO-220-3
Bunuimhir Táirge
IRFBE30
Ríomhleabhar & Doiciméid
Sonraí Teicniúla
Faisnéis HTML
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
50
Ainmneacha Eile
*IRFBE30PBF
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
JANTX2N6760
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO204AA
JANTX2N7227U
MOSFET N-CH 400V 14A TO267AB
FDN337N
MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
