Uimhir Táirge Déantóra:
TPH1110FNH,L1Q
Product Overview
Déantóir:
Toshiba Semiconductor and Storage
Uimhir Páirte:
TPH1110FNH,L1Q-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 250 V 10A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Stoc:
11608 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12890946
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
TPH1110FNH,L1Q Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
U-MOSVIII-H
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
250 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
10A (Ta)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
112mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
4V @ 300µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
1.6W (Ta), 57W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
8-SOP Advance (5x5)
Pacáiste / Cás
8-PowerVDFN
Bunuimhir Táirge
TPH1110
Ríomhleabhar & Doiciméid
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
5,000
Ainmneacha Eile
TPH1110FNH,L1QDKR-DG
TPH1110FNHL1QCT
TPH1110FNH,L1QCT-DG
TPH1110FNH,L1QDKR
TPH1110FNH,L1Q(M
TPH1110FNHL1QTR
TPH1110FNH,L1QTR-DG
TPH1110FNH,L1QCT
TPH1110FNH,L1QTR
TPH1110FNHL1QDKR
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
RoHS Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
SSM6J801R,LF
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
TPCA8045-H(T2L1,VM
MOSFET N-CH 40V 46A 8SOP
TPH3300CNH,L1Q
MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP
