Uimhir Táirge Déantóra:
TK39J60W,S1VQ
Product Overview
Déantóir:
Toshiba Semiconductor and Storage
Uimhir Páirte:
TK39J60W,S1VQ-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Stoc:
22 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12890771
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
TK39J60W,S1VQ Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pacáistiú
Tube
Sraith
DTMOSIV
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
600 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
38.8A (Ta)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
3.7V @ 1.9mA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±30V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
4100 pF @ 300 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
270W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Through Hole
Pacáiste Gléas Soláthraí
TO-3P(N)
Pacáiste / Cás
TO-3P-3, SC-65-3
Bunuimhir Táirge
TK39J60
Ríomhleabhar & Doiciméid
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
25
Ainmneacha Eile
TK39J60WS1VQ
TK39J60W,S1VQ(O
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Móidail Aiteacha
UIMHIR CODA
FCA47N60-F109
DEIRMHEACH
onsemi
CANTAR DISPONIBLE
455
DiGi PART NUMBER
FCA47N60-F109-DG
PRAGHAS AONAD
6.12
TÍP AIONTUITHE
Similar
UIMHIR CODA
FCA47N60
DEIRMHEACH
onsemi
CANTAR DISPONIBLE
849
DiGi PART NUMBER
FCA47N60-DG
PRAGHAS AONAD
6.35
TÍP AIONTUITHE
Similar
Teastas DIGI
Related Products
TPH1R403NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
TK15S04N1L,LQ
MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
TK10A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS