Uimhir Táirge Déantóra:
TK39A60W,S4VX
Product Overview
Déantóir:
Toshiba Semiconductor and Storage
Uimhir Páirte:
TK39A60W,S4VX-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Stoc:
47 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12891375
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
TK39A60W,S4VX Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pacáistiú
Tube
Sraith
DTMOSIV
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
600 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
38.8A (Ta)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
3.7V @ 1.9mA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±30V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
4100 pF @ 300 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
50W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Through Hole
Pacáiste Gléas Soláthraí
TO-220SIS
Pacáiste / Cás
TO-220-3 Full Pack
Bunuimhir Táirge
TK39A60
Ríomhleabhar & Doiciméid
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
50
Ainmneacha Eile
TK39A60WS4VX
TK39A60W,S4VX(M
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
DMN67D8LT-7
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T&R
TPC8110(TE12L,Q,M)
MOSFET P-CH 40V 8A 8SOP
T2N7002AK,LM
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
