Uimhir Táirge Déantóra:
TK35N65W,S1F
Product Overview
Déantóir:
Toshiba Semiconductor and Storage
Uimhir Páirte:
TK35N65W,S1F-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 650 V 35A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
Stoc:
15 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12890304
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
TK35N65W,S1F Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pacáistiú
Tube
Sraith
DTMOSIV
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
650 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
35A (Ta)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
3.5V @ 2.1mA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±30V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
4100 pF @ 300 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
270W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Through Hole
Pacáiste Gléas Soláthraí
TO-247
Pacáiste / Cás
TO-247-3
Bunuimhir Táirge
TK35N65
Ríomhleabhar & Doiciméid
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
30
Ainmneacha Eile
TK35N65W,S1F(S
TK35N65W,S1F-DG
TK35N65WS1F
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Móidail Aiteacha
UIMHIR CODA
IXFX80N60P3
DEIRMHEACH
IXYS
CANTAR DISPONIBLE
3
DiGi PART NUMBER
IXFX80N60P3-DG
PRAGHAS AONAD
11.27
TÍP AIONTUITHE
Similar
UIMHIR CODA
IXFX64N60P3
DEIRMHEACH
IXYS
CANTAR DISPONIBLE
1060
DiGi PART NUMBER
IXFX64N60P3-DG
PRAGHAS AONAD
8.28
TÍP AIONTUITHE
Similar
Teastas DIGI
Related Products
TPWR8503NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
TPC6011(TE85L,F,M)
MOSFET N-CH 30V 6A VS-6
2SJ377(TE16R1,NQ)
MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD