Uimhir Táirge Déantóra:
TK34E10N1,S1X
Product Overview
Déantóir:
Toshiba Semiconductor and Storage
Uimhir Páirte:
TK34E10N1,S1X-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 100V 75A TO220
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-220
Stoc:
5 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12889476
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
TK34E10N1,S1X Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pacáistiú
Tube
Sraith
U-MOSVIII-H
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
100 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
75A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
4V @ 500µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
2600 pF @ 50 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
103W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Through Hole
Pacáiste Gléas Soláthraí
TO-220
Pacáiste / Cás
TO-220-3
Bunuimhir Táirge
TK34E10
Ríomhleabhar & Doiciméid
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
50
Ainmneacha Eile
TK34E10N1,S1X(S
TK34E10N1S1X
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Móidail Aiteacha
UIMHIR CODA
IPP100N08N3GXKSA1
DEIRMHEACH
Infineon Technologies
CANTAR DISPONIBLE
587
DiGi PART NUMBER
IPP100N08N3GXKSA1-DG
PRAGHAS AONAD
1.00
TÍP AIONTUITHE
Similar
Teastas DIGI
Related Products
TK20V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
TK16G60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
TK8A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 8A TO220SIS
