Uimhir Táirge Déantóra:
TK32E12N1,S1X
Product Overview
Déantóir:
Toshiba Semiconductor and Storage
Uimhir Páirte:
TK32E12N1,S1X-DG
Cur síos:
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 120 V 60A (Tc) 98W (Tc) Through Hole TO-220
Stoc:
78 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12889193
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
TK32E12N1,S1X Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pacáistiú
Tube
Sraith
U-MOSVIII-H
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
120 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
60A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
4V @ 500µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
2000 pF @ 60 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
98W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Through Hole
Pacáiste Gléas Soláthraí
TO-220
Pacáiste / Cás
TO-220-3
Bunuimhir Táirge
TK32E12
Ríomhleabhar & Doiciméid
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
50
Ainmneacha Eile
TK32E12N1S1X
TK32E12N1,S1X(S
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
TK4A60DB(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
TK4P50D(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
TK20A60W,S5VX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
