Uimhir Táirge Déantóra:
TK30A06N1,S4X
Product Overview
Déantóir:
Toshiba Semiconductor and Storage
Uimhir Páirte:
TK30A06N1,S4X-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 60 V 30A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Stoc:
12890358
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
TK30A06N1,S4X Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pacáistiú
Tube
Sraith
U-MOSVIII-H
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
60 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
30A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
4V @ 200µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
1050 pF @ 30 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
25W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Through Hole
Pacáiste Gléas Soláthraí
TO-220SIS
Pacáiste / Cás
TO-220-3 Full Pack
Bunuimhir Táirge
TK30A06
Ríomhleabhar & Doiciméid
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
50
Ainmneacha Eile
TK30A06N1S4X
TK30A06N1,S4X(S
TK30A06N1,S4X-DG
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
TK8P60W5,RVQ
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
TK9A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 9A TO220SIS
TK560P65Y,RQ
MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
