Uimhir Táirge Déantóra:
TK14N65W,S1F
Product Overview
Déantóir:
Toshiba Semiconductor and Storage
Uimhir Páirte:
TK14N65W,S1F-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-247
Stoc:
12891590
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
TK14N65W,S1F Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pacáistiú
Tube
Sraith
DTMOSIV
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
650 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
13.7A (Ta)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
3.5V @ 690µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±30V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
1300 pF @ 300 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
130W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Through Hole
Pacáiste Gléas Soláthraí
TO-247
Pacáiste / Cás
TO-247-3
Bunuimhir Táirge
TK14N65
Ríomhleabhar & Doiciméid
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
30
Ainmneacha Eile
TK14N65WS1F
TK14N65W,S1F(S
TK14N65W,S1F-DG
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Móidail Aiteacha
UIMHIR CODA
IXTH30N60P
DEIRMHEACH
IXYS
CANTAR DISPONIBLE
648
DiGi PART NUMBER
IXTH30N60P-DG
PRAGHAS AONAD
5.55
TÍP AIONTUITHE
Similar
UIMHIR CODA
STW18N60M2
DEIRMHEACH
STMicroelectronics
CANTAR DISPONIBLE
476
DiGi PART NUMBER
STW18N60M2-DG
PRAGHAS AONAD
1.26
TÍP AIONTUITHE
Similar
Teastas DIGI
Related Products
SSM6J503NU,LF
MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
TPCA8A01-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 30V 36A 8SOP
TK65S04K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
