Uimhir Táirge Déantóra:
TK14E65W,S1X
Product Overview
Déantóir:
Toshiba Semiconductor and Storage
Uimhir Páirte:
TK14E65W,S1X-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-220
Stoc:
50 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12891040
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
TK14E65W,S1X Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pacáistiú
Tube
Sraith
DTMOSIV
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
650 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
13.7A (Ta)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
3.5V @ 690µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±30V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
1300 pF @ 300 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
130W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Through Hole
Pacáiste Gléas Soláthraí
TO-220
Pacáiste / Cás
TO-220-3
Bunuimhir Táirge
TK14E65
Ríomhleabhar & Doiciméid
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
50
Ainmneacha Eile
TK14E65WS1X
TK14E65W,S1X(S
TK14E65W,S1X-DG
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
TPCC8067-H,LQ(S
MOSFET N-CH 30V 9A 8TSON
TK5P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
TK2P60D(TE16L1,NQ)
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
