Uimhir Táirge Déantóra:
TK12Q60W,S1VQ
Product Overview
Déantóir:
Toshiba Semiconductor and Storage
Uimhir Páirte:
TK12Q60W,S1VQ-DG
Cur síos:
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 600 V 11.5A (Ta) 100W (Tc) Through Hole I-Pak
Stoc:
65 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12890805
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
TK12Q60W,S1VQ Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pacáistiú
Tube
Sraith
DTMOSIV
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
600 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
11.5A (Ta)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
340mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
3.7V @ 600µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±30V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
890 pF @ 300 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
100W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Through Hole
Pacáiste Gléas Soláthraí
I-PAK
Pacáiste / Cás
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Bunuimhir Táirge
TK12Q60
Ríomhleabhar & Doiciméid
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
75
Ainmneacha Eile
TK12Q60WS1VQ
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
TK10A80E,S4X
MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
TPW4R50ANH,L1Q
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
2SK2989,T6F(J
MOSFET N-CH TO92MOD
