Uimhir Táirge Déantóra:
TK12E60W,S1VX
Product Overview
Déantóir:
Toshiba Semiconductor and Storage
Uimhir Páirte:
TK12E60W,S1VX-DG
Cur síos:
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 600 V 11.5A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Stoc:
50 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12891143
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
TK12E60W,S1VX Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pacáistiú
Tube
Sraith
DTMOSIV
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
600 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
11.5A (Ta)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
3.7V @ 600µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±30V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
890 pF @ 300 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
110W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Through Hole
Pacáiste Gléas Soláthraí
TO-220
Pacáiste / Cás
TO-220-3
Bunuimhir Táirge
TK12E60
Ríomhleabhar & Doiciméid
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
50
Ainmneacha Eile
TK12E60WS1VX
TK12E60W,S1VX(S
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
TPC6111(TE85L,F,M)
MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
TK17N65W,S1F
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO247
SSM3J325F,LF
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
