Uimhir Táirge Déantóra:
TK10V60W,LVQ
Product Overview
Déantóir:
Toshiba Semiconductor and Storage
Uimhir Páirte:
TK10V60W,LVQ-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 600V 9.7A 4DFN
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 88.3W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Stoc:
12890192
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
TK10V60W,LVQ Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
DTMOSIV
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
600 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
9.7A (Ta)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
3.7V @ 500µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±30V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
700 pF @ 300 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
88.3W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
4-DFN-EP (8x8)
Pacáiste / Cás
4-VSFN Exposed Pad
Bunuimhir Táirge
TK10V60
Ríomhleabhar & Doiciméid
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
2,500
Ainmneacha Eile
TK10V60WLVQTR
TK10V60WLVQCT
TK10V60W,LVQ(S
TK10V60WLVQDKR
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
SSM3K59CTB,L3F
MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
TPN1600ANH,L1Q
MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
SSM3J117TU,LF
MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM
