Uimhir Táirge Déantóra:
TK100E10N1,S1X
Product Overview
Déantóir:
Toshiba Semiconductor and Storage
Uimhir Páirte:
TK100E10N1,S1X-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 100 V 100A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220
Stoc:
4370 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12889325
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
TK100E10N1,S1X Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pacáistiú
Tube
Sraith
U-MOSVIII-H
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
100 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
100A (Ta)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
4V @ 1mA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
8800 pF @ 50 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
255W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Through Hole
Pacáiste Gléas Soláthraí
TO-220
Pacáiste / Cás
TO-220-3
Bunuimhir Táirge
TK100E10
Ríomhleabhar & Doiciméid
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
50
Ainmneacha Eile
TK100E10N1S1X
TK100E10N1,S1X(S
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
SSM6P16FE(TE85L,F)
MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
TK6P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
