Uimhir Táirge Déantóra:
RN2967FE(TE85L,F)
Product Overview
Déantóir:
Toshiba Semiconductor and Storage
Uimhir Páirte:
RN2967FE(TE85L,F)-DG
Cur síos:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Cur Síos Mionsonraithe:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Stoc:
12889280
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
RN2967FE(TE85L,F) Saintréithe Teicniúla
Catagóir
Bipolare (BJT), Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
Déantóir
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pacáistiú
-
Sraith
-
Stádas Táirge
Obsolete
Cineál Trasraitheora
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Reatha - Bailitheoir (Ic) (Uasmhéid)
100mA
Voltage - Bailitheoir Astaír Miondealú (Max)
50V
Friotóir - Bonn (R1)
10kOhms
Friotóir - Bonn Astaithe (R2)
47kOhms
DC Gnóthachan Reatha (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Reatha - Cutoff Bailitheoir (Max)
100nA (ICBO)
Minicíocht - Aistriú
200MHz
Cumhacht - Max
100mW
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste / Cás
SOT-563, SOT-666
Pacáiste Gléas Soláthraí
ES6
Bunuimhir Táirge
RN2967
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
4,000
Ainmneacha Eile
RN2967FE(TE85LF)CT
RN2967FE(TE85LF)TR
RN2967FE(TE85LF)DKR
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.21.0095
Móidail Aiteacha
UIMHIR CODA
NSBA114YDXV6T1G
DEIRMHEACH
onsemi
CANTAR DISPONIBLE
3990
DiGi PART NUMBER
NSBA114YDXV6T1G-DG
PRAGHAS AONAD
0.05
TÍP AIONTUITHE
Similar
Teastas DIGI
Related Products
RN2604(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
RN2907FE,LF(CT
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN4907(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
