Uimhir Táirge Déantóra:
RN2910(T5L,F,T)
Product Overview
Déantóir:
Toshiba Semiconductor and Storage
Uimhir Páirte:
RN2910(T5L,F,T)-DG
Cur síos:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Cur Síos Mionsonraithe:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
Stoc:
12891036
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
RN2910(T5L,F,T) Saintréithe Teicniúla
Catagóir
Bipolare (BJT), Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
Déantóir
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pacáistiú
-
Sraith
-
Stádas Táirge
Obsolete
Cineál Trasraitheora
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Reatha - Bailitheoir (Ic) (Uasmhéid)
100mA
Voltage - Bailitheoir Astaír Miondealú (Max)
50V
Friotóir - Bonn (R1)
4.7kOhms
Friotóir - Bonn Astaithe (R2)
-
DC Gnóthachan Reatha (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Reatha - Cutoff Bailitheoir (Max)
100nA (ICBO)
Minicíocht - Aistriú
200MHz
Cumhacht - Max
200mW
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste / Cás
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacáiste Gléas Soláthraí
US6
Bunuimhir Táirge
RN2910
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
3,000
Ainmneacha Eile
RN2910(T5LFT)DKR
RN2910(T5LFT)CT
RN2910(T5LFT)TR
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.21.0095
Móidail Aiteacha
Teastas DIGI
Related Products
RN4987,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4602TE85LF
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
RN2906,LF
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6