Uimhir Táirge Déantóra:
RN1707JE(TE85L,F)
Product Overview
Déantóir:
Toshiba Semiconductor and Storage
Uimhir Páirte:
RN1707JE(TE85L,F)-DG
Cur síos:
NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
Cur Síos Mionsonraithe:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
Stoc:
3872 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
13275899
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
RN1707JE(TE85L,F) Saintréithe Teicniúla
Catagóir
Bipolare (BJT), Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
Déantóir
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
-
Stádas Táirge
Active
Cineál Trasraitheora
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Reatha - Bailitheoir (Ic) (Uasmhéid)
100mA
Voltage - Bailitheoir Astaír Miondealú (Max)
50V
Friotóir - Bonn (R1)
10kOhms
Friotóir - Bonn Astaithe (R2)
47kOhms
DC Gnóthachan Reatha (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Reatha - Cutoff Bailitheoir (Max)
500nA
Minicíocht - Aistriú
250MHz
Cumhacht - Max
100mW
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste / Cás
SOT-553
Pacáiste Gléas Soláthraí
ESV
Bunuimhir Táirge
RN1707
Ríomhleabhar & Doiciméid
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
4,000
Ainmneacha Eile
264-RN1707JE(TE85LF)CT
264-RN1707JE(TE85LF)TR
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.21.0075
Teastas DIGI
Related Products
RN4988(TE85L,F)
NPN + PNP BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
RN1710JE(TE85L,F)
NPN X 2 BRT Q1BSR=4.7KOHM Q1BER=
FMC2T148
TRANS DGTL BJT NPN/PNP SMT5
