Uimhir Táirge Déantóra:
RN1110MFV,L3F
Product Overview
Déantóir:
Toshiba Semiconductor and Storage
Uimhir Páirte:
RN1110MFV,L3F-DG
Cur síos:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Cur Síos Mionsonraithe:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Stoc:
8000 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12891181
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
RN1110MFV,L3F Saintréithe Teicniúla
Catagóir
Bipolare (BJT), Singil, Réamhchomhbharataithe Tráchtairí Bipolar
Déantóir
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
-
Stádas Táirge
Active
Cineál Trasraitheora
NPN - Pre-Biased
Reatha - Bailitheoir (Ic) (Uasmhéid)
100 mA
Voltage - Bailitheoir Astaír Miondealú (Max)
50 V
Friotóir - Bonn (R1)
4.7 kOhms
DC Gnóthachan Reatha (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Reatha - Cutoff Bailitheoir (Max)
100nA (ICBO)
Cumhacht - Max
150 mW
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste / Cás
SOT-723
Pacáiste Gléas Soláthraí
VESM
Bunuimhir Táirge
RN1110
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
8,000
Ainmneacha Eile
264-RN1110MFV,L3FCT
RN1110MFV(TL3T)TR
RN1110MFV(TL3T)DKR-DG
RN1110MFV(TL3,T)
RN1110MFVL3FTR
RN1110MFVTL3T
RN1110MFVL3F
RN1110MFVL3FTR-DG
RN1110MFVL3FDKR
RN1110MFVL3FDKR-DG
RN1110MFV,L3F(T
RN1110MFV(TL3T)CT
RN1110MFV(TL3T)DKR
RN1110MFV,L3F(B
RN1110MFV(TL3T)CT-DG
RN1110MFVL3FCT
RN1110MFVL3FINACTIVE
RN1110MFV(TL3T)TR-DG
RN1110MFVL3FCT-DG
RN1110MFVL3F-DG
264-RN1110MFV,L3FTR
264-RN1110MFV,L3FDKR
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.21.0095
Teastas DIGI
Related Products
RN2104ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
RN2112,LF(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
RN2108(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
