Uimhir Táirge Déantóra:
RN1109MFV,L3F
Product Overview
Déantóir:
Toshiba Semiconductor and Storage
Uimhir Páirte:
RN1109MFV,L3F-DG
Cur síos:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Cur Síos Mionsonraithe:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Stoc:
12891145
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
RN1109MFV,L3F Saintréithe Teicniúla
Catagóir
Bipolare (BJT), Singil, Réamhchomhbharataithe Tráchtairí Bipolar
Déantóir
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pacáistiú
-
Sraith
-
Stádas Táirge
Active
Cineál Trasraitheora
NPN - Pre-Biased
Reatha - Bailitheoir (Ic) (Uasmhéid)
100 mA
Voltage - Bailitheoir Astaír Miondealú (Max)
50 V
Friotóir - Bonn (R1)
47 kOhms
Friotóir - Bonn Astaithe (R2)
22 kOhms
DC Gnóthachan Reatha (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Reatha - Cutoff Bailitheoir (Max)
500nA
Cumhacht - Max
150 mW
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste / Cás
SOT-723
Pacáiste Gléas Soláthraí
VESM
Bunuimhir Táirge
RN1109
Ríomhleabhar & Doiciméid
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
8,000
Ainmneacha Eile
RN1109MFV,L3F(B
RN1109MFVL3F
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
RoHS Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.21.0095
Teastas DIGI
Related Products
RN1118MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN1311,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
RN2106(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
