RN1106MFV,L3F
Uimhir Táirge Déantóra:

RN1106MFV,L3F

Product Overview

Déantóir:

Toshiba Semiconductor and Storage

Uimhir Páirte:

RN1106MFV,L3F-DG

Cur síos:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Cur Síos Mionsonraithe:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM

Stoc:

53233 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12891576
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT

RN1106MFV,L3F Saintréithe Teicniúla

Catagóir
Bipolare (BJT), Singil, Réamhchomhbharataithe Tráchtairí Bipolar
Déantóir
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
-
Stádas Táirge
Active
Cineál Trasraitheora
NPN - Pre-Biased
Reatha - Bailitheoir (Ic) (Uasmhéid)
100 mA
Voltage - Bailitheoir Astaír Miondealú (Max)
50 V
Friotóir - Bonn (R1)
4.7 kOhms
Friotóir - Bonn Astaithe (R2)
47 kOhms
DC Gnóthachan Reatha (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Reatha - Cutoff Bailitheoir (Max)
500nA
Cumhacht - Max
150 mW
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste / Cás
SOT-723
Pacáiste Gléas Soláthraí
VESM
Bunuimhir Táirge
RN1106

Ríomhleabhar & Doiciméid

Tuilleadh Eolais

Pacáiste Caighdeánach
8,000
Ainmneacha Eile
RN1106MFV,L3F(T
RN1106MFVL3F-DG
RN1106MFV,L3F(B
RN1106MFVL3F(B
RN1106MFVL3F(T
RN1106MFVL3FDKR
RN1106MFVL3F
RN1106MFVL3FTR
RN1106MFVL3FCT

Rangú Comhshaoil & Eisíoc

Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.21.0095
Teastas DIGI
Related Products
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1309(TE85L,F)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1404S,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

diodes

DDTC123YKA-7-F

TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2104(T5L,F,T)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM