Uimhir Táirge Déantóra:
RN1101MFV,L3F(CT
Product Overview
Déantóir:
Toshiba Semiconductor and Storage
Uimhir Páirte:
RN1101MFV,L3F(CT-DG
Cur síos:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Cur Síos Mionsonraithe:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Stoc:
6911 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
13275902
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
RN1101MFV,L3F(CT Saintréithe Teicniúla
Catagóir
Bipolare (BJT), Singil, Réamhchomhbharataithe Tráchtairí Bipolar
Déantóir
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
-
Stádas Táirge
Active
Cineál Trasraitheora
NPN - Pre-Biased
Reatha - Bailitheoir (Ic) (Uasmhéid)
100 mA
Voltage - Bailitheoir Astaír Miondealú (Max)
50 V
Friotóir - Bonn (R1)
4.7 kOhms
Friotóir - Bonn Astaithe (R2)
4.7 kOhms
DC Gnóthachan Reatha (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Reatha - Cutoff Bailitheoir (Max)
500nA
Cumhacht - Max
150 mW
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste / Cás
SOT-723
Pacáiste Gléas Soláthraí
VESM
Bunuimhir Táirge
RN1101
Ríomhleabhar & Doiciméid
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
8,000
Ainmneacha Eile
RN1101MFV,L3F(CB
264-RN1101MFVL3F(DKR
264-RN1101MFVL3F(TR
264-RN1101MFVL3F(CT
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.21.0095
Teastas DIGI
Related Products
RN1410,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
RN1106MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN2410,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
