Uimhir Táirge Déantóra:
2SJ610(TE16L1,NQ)
Product Overview
Déantóir:
Toshiba Semiconductor and Storage
Uimhir Páirte:
2SJ610(TE16L1,NQ)-DG
Cur síos:
MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD
Cur Síos Mionsonraithe:
P-Channel 250 V 2A (Ta) 20W (Ta) Surface Mount PW-MOLD
Stoc:
12890656
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
2SJ610(TE16L1,NQ) Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pacáistiú
-
Sraith
-
Stádas Táirge
Obsolete
Cineál FET
P-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
250 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
2A (Ta)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.55Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
3.5V @ 1mA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
381 pF @ 10 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
20W (Ta)
Teocht Oibriúcháin
150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
PW-MOLD
Pacáiste / Cás
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Bunuimhir Táirge
2SJ610
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
2,000
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
TPN2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
TK10Q60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
TK8Q60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 8A IPAK
