Uimhir Táirge Déantóra:
CSD16411Q3T
Product Overview
Déantóir:
Texas Instruments
Uimhir Páirte:
CSD16411Q3T-DG
Cur síos:
PROTOTYPE
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 25 V 50A (Tc) 35W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Stoc:
12996090
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
CSD16411Q3T Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Texas Instruments
Pacáistiú
-
Sraith
NexFET™
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
25 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
50A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
2.3V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
3.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Uasmhéid)
+16V, -12V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
570 pF @ 12.5 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
35W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Pacáiste / Cás
8-PowerTDFN
Bunuimhir Táirge
CSD16411
Ríomhleabhar & Doiciméid
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
1
Ainmneacha Eile
296-CSD16411Q3T
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
R8006KNXC7G
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
CSD18563Q5A-P
60-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
CSD16323Q3T
PROTOTYPE
