RQ3E070BNTB
Uimhir Táirge Déantóra:

RQ3E070BNTB

Product Overview

Déantóir:

Rohm Semiconductor

Uimhir Páirte:

RQ3E070BNTB-DG

Cur síos:

MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 30 V 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

Stoc:

6697 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
13525893
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT

RQ3E070BNTB Saintréithe Teicniúla

Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
ROHM Semiconductor
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
-
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
30 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
7A (Ta)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
2.5V @ 1mA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
8.9 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
410 pF @ 15 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
2W (Ta)
Teocht Oibriúcháin
150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
8-HSMT (3.2x3)
Pacáiste / Cás
8-PowerVDFN
Bunuimhir Táirge
RQ3E070

Ríomhleabhar & Doiciméid

Bileoga eolais
RQ3E070BN HSMT8 TB Taping Spec

Tuilleadh Eolais

Pacáiste Caighdeánach
3,000
Ainmneacha Eile
RQ3E070BNTBDKR
RQ3E070BNTBCT
RQ3E070BNTBTR

Rangú Comhshaoil & Eisíoc

Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Related Products
rohm-semi

R6020ANJTL

MOSFET N-CH 600V 20A LPTS

rohm-semi

RD3L080SNTL1

MOSFET N-CH 60V 8A TO252

rohm-semi

R6004ENJTL

MOSFET N-CH 600V 4A LPTS

rohm-semi

RD3P100SNTL1

MOSFET N-CH 100V 10A TO252