R6061YNXC7G
Uimhir Táirge Déantóra:

R6061YNXC7G

Product Overview

Déantóir:

Rohm Semiconductor

Uimhir Páirte:

R6061YNXC7G-DG

Cur síos:

NCH 600V 26A, TO-220FM, POWER MO
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220FM

Stoc:

1000 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
13238773
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT

R6061YNXC7G Saintréithe Teicniúla

Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
ROHM Semiconductor
Pacáistiú
Tube
Sraith
-
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
600 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
26A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V, 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 13A, 12V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
6V @ 3.5mA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±30V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
3700 pF @ 100 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
100W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Through Hole
Pacáiste Gléas Soláthraí
TO-220FM
Pacáiste / Cás
TO-220-3 Full Pack

Ríomhleabhar & Doiciméid

Bileoga eolais

Tuilleadh Eolais

Pacáiste Caighdeánach
50
Ainmneacha Eile
846-R6061YNXC7G

Rangú Comhshaoil & Eisíoc

Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Teastas DIGI
Related Products
goford-semiconductor

G300N04D3

MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L

goford-semiconductor

G18N50T

MOSFET N-CH 500V 18A TO-220

goford-semiconductor

G030N06T

MOSFET N-CH 60V 223A TO-220

goford-semiconductor

GT400P10T

MOSFET P-CH 100V 35A TO-220