Uimhir Táirge Déantóra:
EMB4T2R
Product Overview
Déantóir:
Rohm Semiconductor
Uimhir Páirte:
EMB4T2R-DG
Cur síos:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Cur Síos Mionsonraithe:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Stoc:
13522782
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
EMB4T2R Saintréithe Teicniúla
Catagóir
Bipolare (BJT), Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
Déantóir
ROHM Semiconductor
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
-
Stádas Táirge
Active
Cineál Trasraitheora
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Reatha - Bailitheoir (Ic) (Uasmhéid)
100mA
Voltage - Bailitheoir Astaír Miondealú (Max)
50V
Friotóir - Bonn (R1)
10kOhms
Friotóir - Bonn Astaithe (R2)
-
DC Gnóthachan Reatha (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Reatha - Cutoff Bailitheoir (Max)
-
Minicíocht - Aistriú
250MHz
Cumhacht - Max
150mW
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste / Cás
SOT-563, SOT-666
Pacáiste Gléas Soláthraí
EMT6
Bunuimhir Táirge
EMB4T2
Ríomhleabhar & Doiciméid
Acmhainní Dearaidh
Bileoga eolais
Doiciméid Iontaofachta
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
8,000
Ainmneacha Eile
EMB4T2RCT
EMB4T2RDKR
EMB4T2RTR
EMB4T2R-ND
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.21.0095
Móidail Aiteacha
UIMHIR CODA
RN2911FE(TE85L,F)
DEIRMHEACH
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTAR DISPONIBLE
3975
DiGi PART NUMBER
RN2911FE(TE85L,F)-DG
PRAGHAS AONAD
0.04
TÍP AIONTUITHE
Similar
Teastas DIGI
Related Products
