Uimhir Táirge Déantóra:
EMA3T2R
Product Overview
Déantóir:
Rohm Semiconductor
Uimhir Páirte:
EMA3T2R-DG
Cur síos:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W
Cur Síos Mionsonraithe:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Stoc:
13523929
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
EMA3T2R Saintréithe Teicniúla
Catagóir
Bipolare (BJT), Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
Déantóir
ROHM Semiconductor
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
-
Stádas Táirge
Active
Cineál Trasraitheora
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Reatha - Bailitheoir (Ic) (Uasmhéid)
100mA
Voltage - Bailitheoir Astaír Miondealú (Max)
50V
Friotóir - Bonn (R1)
4.7kOhms
Friotóir - Bonn Astaithe (R2)
-
DC Gnóthachan Reatha (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Reatha - Cutoff Bailitheoir (Max)
500nA (ICBO)
Minicíocht - Aistriú
250MHz
Cumhacht - Max
150mW
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste / Cás
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Pacáiste Gléas Soláthraí
EMT5
Bunuimhir Táirge
EMA3T2
Ríomhleabhar & Doiciméid
Acmhainní Dearaidh
Doiciméid Iontaofachta
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
8,000
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.21.0095
Móidail Aiteacha
UIMHIR CODA
RN2710JE(TE85L,F)
DEIRMHEACH
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTAR DISPONIBLE
3611
DiGi PART NUMBER
RN2710JE(TE85L,F)-DG
PRAGHAS AONAD
0.05
TÍP AIONTUITHE
Direct
Teastas DIGI
Related Products
EMD4T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMG8T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
EMB11FHAT2R
TRANS 2PNP 100MA EMT6
