Uimhir Táirge Déantóra:
QJD1210SA2
Product Overview
Déantóir:
Powerex Inc.
Uimhir Páirte:
QJD1210SA2-DG
Cur síos:
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
Cur Síos Mionsonraithe:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A 415W Chassis Mount Module
Stoc:
12840189
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
QJD1210SA2 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Raonraí
Déantóir
Powerex
Pacáistiú
-
Sraith
-
Stádas Táirge
Obsolete
Teicneolaíocht
Silicon Carbide (SiC)
Cumraíocht
2 N-Channel (Dual)
Gné FET
-
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
1200V (1.2kV)
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
1.6V @ 34mA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
330nC @ 15V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
8200pF @ 10V
Cumhacht - Max
415W
Teocht Oibriúcháin
-40°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Chassis Mount
Pacáiste / Cás
Module
Pacáiste Gléas Soláthraí
Module
Bunuimhir Táirge
QJD1210
Ríomhleabhar & Doiciméid
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
1
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
ECH8651R-TL-H
MOSFET 2N-CH 24V 10A 8ECH
FDC6320C
MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SSOT6
NTLGD3502NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
