Uimhir Táirge Déantóra:
DTD113E
Product Overview
Déantóir:
onsemi
Uimhir Páirte:
DTD113E-DG
Cur síos:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Cur Síos Mionsonraithe:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 350 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Stoc:
25000 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12934311
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
DTD113E Saintréithe Teicniúla
Catagóir
Bipolare (BJT), Singil, Réamhchomhbharataithe Tráchtairí Bipolar
Déantóir
onsemi
Pacáistiú
Bulk
Sraith
-
Stádas Táirge
Active
Cineál Trasraitheora
NPN - Pre-Biased
Reatha - Bailitheoir (Ic) (Uasmhéid)
100 mA
Voltage - Bailitheoir Astaír Miondealú (Max)
50 V
Friotóir - Bonn (R1)
1 kOhms
Friotóir - Bonn Astaithe (R2)
1 kOhms
DC Gnóthachan Reatha (hFE) (Min) @ Ic, Vce
3 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Reatha - Cutoff Bailitheoir (Max)
500nA
Cumhacht - Max
350 mW
Grád
-
Cáilíocht
-
Cineál Gléasta
Through Hole
Pacáiste / Cás
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pacáiste Gléas Soláthraí
TO-92 (TO-226)
Ríomhleabhar & Doiciméid
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
11,539
Ainmneacha Eile
ONSONSDTD113E
2156-DTD113E
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
RoHS non-compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.21.0095
Teastas DIGI
Related Products
