KFJ4B01120L
Uimhir Táirge Déantóra:

KFJ4B01120L

Product Overview

Déantóir:

Nuvoton Technology Corporation

Uimhir Páirte:

KFJ4B01120L-DG

Cur síos:

MOSFET P-CH 12V
Cur Síos Mionsonraithe:
P-Channel 12 V 2.6A (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount 4-CSP (1x1)

Stoc:

12979515
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT

KFJ4B01120L Saintréithe Teicniúla

Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Nuvoton Technology Corporation
Pacáistiú
Tape & Reel (TR)
Sraith
-
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
P-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
12 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
2.6A (Ta)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
51mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
1V @ 2mA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
10.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Uasmhéid)
±8V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
814 pF @ 10 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
370mW (Ta)
Teocht Oibriúcháin
-40°C ~ 85°C (TA)
Grád
Automotive
Cáilíocht
AEC-Q101
Cineál Gléasta
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraí
4-CSP (1x1)
Pacáiste / Cás
4-XFLGA, CSP
Bunuimhir Táirge
KFJ4

Ríomhleabhar & Doiciméid

Bileoga eolais

Tuilleadh Eolais

Pacáiste Caighdeánach
500
Ainmneacha Eile
816-KFJ4B01120LTR
816-KFJ4B01120LCT
Q14964327

Rangú Comhshaoil & Eisíoc

Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
diodes

DMP26M1UFG-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333

diodes

DMP3165LQ-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

diodes

DMT12H7M9LPSW-13

MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5