Uimhir Táirge Déantóra:
NTE2018
Product Overview
Déantóir:
NTE Electronics, Inc
Uimhir Páirte:
NTE2018-DG
Cur síos:
IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
Cur Síos Mionsonraithe:
Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 600mA 1W Through Hole 18-PDIP
Stoc:
22 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
12950372
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
NTE2018 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
Bipolare (BJT), Bipolar Transistor Arrays
Déantóir
Pacáistiú
Bag
Sraith
-
Stádas Táirge
Active
Cineál Trasraitheora
8 NPN Darlington
Reatha - Bailitheoir (Ic) (Uasmhéid)
600mA
Voltage - Bailitheoir Astaír Miondealú (Max)
50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 350mA, 500A
DC Gnóthachan Reatha (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Cumhacht - Max
1W
Minicíocht - Aistriú
-
Teocht Oibriúcháin
-20°C ~ 85°C (TA)
Cineál Gléasta
Through Hole
Pacáiste / Cás
18-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacáiste Gléas Soláthraí
18-PDIP
Bunuimhir Táirge
NTE20
Ríomhleabhar & Doiciméid
Bileoga eolais
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
1
Ainmneacha Eile
2368-NTE2018
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUSName
8542.31.0000
Teastas DIGI
Related Products
JANTXV2N3810U/TR
TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
ZXTDA1M832TA
TRANS NPN/PNP 15V/12V 8MLP
JANTX2N5796U/TR
TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
