APT8M100B
Uimhir Táirge Déantóra:

APT8M100B

Product Overview

Déantóir:

Microchip Technology

Uimhir Páirte:

APT8M100B-DG

Cur síos:

MOSFET N-CH 1000V 8A TO247
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]

Stoc:

37 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
13254280
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT

APT8M100B Saintréithe Teicniúla

Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Microchip Technology
Pacáistiú
Tube
Sraith
-
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
1000 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
8A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
5V @ 1mA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±30V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
1885 pF @ 25 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
290W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Through Hole
Pacáiste Gléas Soláthraí
TO-247 [B]
Pacáiste / Cás
TO-247-3
Bunuimhir Táirge
APT8M100

Ríomhleabhar & Doiciméid

Bileoga eolais
APT8M100(B,S) High-Voltage Power Discretes and Modules

Tuilleadh Eolais

Pacáiste Caighdeánach
30
Ainmneacha Eile
APT8M100BMI
APT8M100BMI-ND

Rangú Comhshaoil & Eisíoc

Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Related Products
microchip-technology

APTC60DAM18CTG

MOSFET N-CH 600V 143A SP4

microchip-technology

APTM50UM09FAG

MOSFET N-CH 500V 497A SP6

microsemi

APT8M80K

MOSFET N-CH 800V 8A TO220

microchip-technology

APT5010B2LLG

MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX