APT28M120B2
Uimhir Táirge Déantóra:

APT28M120B2

Product Overview

Déantóir:

Microchip Technology

Uimhir Páirte:

APT28M120B2-DG

Cur síos:

MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 1200 V 29A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Stoc:

24 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
13253449
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT

APT28M120B2 Saintréithe Teicniúla

Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Microchip Technology
Pacáistiú
Tube
Sraith
POWER MOS 8™
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
1200 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
29A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
560mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
5V @ 2.5mA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±30V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
9670 pF @ 25 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
1135W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta
Through Hole
Pacáiste Gléas Soláthraí
T-MAX™ [B2]
Pacáiste / Cás
TO-247-3 Variant
Bunuimhir Táirge
APT28M120

Ríomhleabhar & Doiciméid

Bileoga eolais
APT28M120(B2,L) High-Voltage Power Discretes and Modules

Tuilleadh Eolais

Pacáiste Caighdeánach
30
Ainmneacha Eile
APT28M120B2MI-ND
APT28M120B2MI

Rangú Comhshaoil & Eisíoc

Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Related Products
microchip-technology

APT1003RKLLG

MOSFET N-CH 1000V 4A TO220

microsemi

APT10043JVR

MOSFET N-CH 1000V 22A ISOTOP

microsemi

2N6760

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO204AA

microchip-technology

APT38N60BC6

MOSFET N-CH 600V 38A TO247